អង្គចងចាំ SAMSUNG DDR6 នឹងលឿនជាង DDR5 ជិតពីរដង

 

 

ក្រុមហ៊ុន Samsungបានចាប់ផ្តើមដំណើរការបន្ទះឈីប 24Gbps GDDR6 DRAM ដំបូងរបស់ខ្លួនសម្រាប់កាតក្រាហ្វិកកាលពីដើមសប្តាហ៍នេះ។  របាយការណ៍ដែលត្រូវគ្នានិយាយថាក្រុមហ៊ុនកំពុងស្ថិតក្នុងដំណាក់កាលដំបូងនៃការអភិវឌ្ឍន៍ DDR6 ។ ប្រសិនបើជឿលើរបាយការណ៍ដែលបានចេញផ្សាយកាលពីឆ្នាំមុន Samsung នឹងបញ្ចប់ការរចនានៃអង្គចងចាំ DDR6 នៅឆ្នាំ 2024 ។
 

DDR6 ត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងលឿនជាង DDR5 ពីរដង និងមានចំនួនឆានែលអង្គចងចាំពីរដង។  DDR6 (JEDEC) អាចសម្រេចបាននូវអត្រាផ្ទេរទិន្នន័យប្រហែល 12800Mbps និងគាំទ្រការ Overclock ដល់ 17000Mbps។

បច្ចុប្បន្ន DDR5 DIMMs លឿនបំផុតរបស់ Samsung មានល្បឿនផ្ទេររហូតដល់ 7200 Mbps ។  និយាយម្យ៉ាងទៀត DDR6 នឹងលឿនជាង 0.7x ហើយល្បឿន Overclock នឹងលឿនជាង 1.36x។  ដូច្នេះ ស្មាតហ្វូនដំបូងដែលមានបន្ទះឈីបអង្គចងចាំ DDR6 អាចជា Samsung Galaxy S25 ។  ប៉ុន្តែយើងមិនគួរបដិសេធពីលទ្ធភាពដែលថា Samsung អាចផ្គត់ផ្គង់អង្គចងចាំនេះដល់ក្រុមហ៊ុនផលិតស្មាតហ្វូនផ្សេងទៀតជាមុននោះទេ។